Samsung Electronics a réalisé une percée significative sur le marché de la mémoire à large bande passante, avec sa mémoire HBM4 de nouvelle génération surpassant ses concurrents dans les tests de vitesse et d’efficacité énergétique pour le prochain accélérateur Vera Rubin AI de Nvidia, selon Journal économique Maeil. Lors d’une visite la semaine dernière, des représentants de Nvidia ont confirmé que Samsung avait obtenu « les meilleurs résultats de l’industrie de la mémoire », ce qui a suscité une demande de volumes d’approvisionnement dépassant de loin les projections internes de Samsung. Ce succès marque un renversement spectaculaire par rapport à la génération HBM3E, où Samsung était en retard de près d’un an sur ses concurrents. Ce revirement est attribué à une stratégie technique à haut risque dans laquelle Samsung a complètement ignoré le processus DRAM D1b pour passer directement au processus D1c de 10 nanomètres. En combinant cette nouvelle DRAM avec des puces logiques produites selon un procédé de fonderie de 4 nanomètres, Samsung est devenu le premier fabricant à atteindre des vitesses de transfert de données supérieures à 11 gigabits par seconde. Alors que SK hynix conserve une avance d’environ trois mois – ayant déjà commencé à fournir des échantillons payants – Samsung a réussi à réduire l’écart par rapport à la génération précédente. Les données du marché reflètent cette reprise, Samsung ayant reconquis la deuxième place sur le marché des HBM au troisième trimestre 2025 avec une part de 22 %, dépassant Micron. Les contrats devraient être formalisés au premier trimestre 2026, avec des livraisons à grande échelle prévues pour le deuxième trimestre afin de respecter le calendrier de Nvidia pour le Véra Rubin lancement de la plateforme au troisième trimestre 2026.
