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TSMC s’attend désormais à ce que le marché des semi-conducteurs dépasse 1,5 billion de dollars

byEmre Çıtak
mai 15, 2026
in Industrie, It
Home Industrie
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TSMC prévoit que le marché mondial des semi-conducteurs dépassera 1,5 billion de dollars d’ici 2030, contre une estimation précédente de 1,0 billion de dollars, selon Reuters. La société a attribué cette augmentation substantielle à la demande croissante de silicium pour l’IA, prévoyant que 55 % du marché proviendra de l’IA et du calcul haute performance, tandis que les smartphones y contribueront à hauteur de 20 % et l’automobile à 10 %.

La demande de plaquettes d’accélérateur d’IA devrait être multipliée par 11 en 2023 par rapport à 2022, ce qui indique une croissance significative à court terme du secteur. TSMC répond à cette demande en accélérant la construction de nouvelles installations de production au-delà de Taiwan.

Aux États-Unis, l’usine de TSMC en Arizona, aidée par une subvention de 6,6 milliards de dollars du gouvernement américain, produit déjà des puces de 4 nm, et prévoit de passer à la production de 3 nm et de 2 nm à l’avenir. Une deuxième usine de fabrication en Arizona est en voie d’achèvement et recevra des machines avancées de fabrication de puces plus tard cette année. De plus, TSMC construit actuellement une troisième usine en Arizona, avec des plans pour une quatrième installation ainsi qu’un site de conditionnement avancé. Les opérations de l’Arizona devraient connaître une production annuelle multipliée par 1,8, atteignant des rendements comparables à ceux des usines de fabrication de l’entreprise à Taiwan.

TSMC exploite également une usine de fabrication au Japon qui produit des puces plus anciennes de 22 nm et 28 nm, principalement pour les composants automobiles et les applications basse consommation. Une deuxième usine au Japon devrait commencer à produire des puces de 3 nm. En outre, TSMC développe une usine en Allemagne, qui commencera par fabriquer des pièces en 22 nm et 28 nm, avec l’intention d’évoluer jusqu’aux capacités 16 nm et 12 nm à un stade ultérieur.

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